一种利用相图研制污泥陶粒的方法

技术简介： 一种利用相图研制污泥陶粒的方法。成果简介：一种利用相图研制污泥陶粒的方法，涉及污泥陶粒的生产方法，先测定在污泥、粘土和粉煤灰中各氧化物的质量百分数；再计算出陶粒中采用的污泥、粘土和…… 查看详细 >

真空平板钢化玻璃密封用玻璃粉技术

技术简介： 真空平板钢化玻璃密封用玻璃粉技术。项目简介：目前很多领域都在将两片平板玻璃（可以是钢化玻璃）进行真空密封，保证腔内真空度，从而起到保温节能作用，用在天气寒冷的地方或者天气特别炎热的…… 查看详细 >

一种通过化学气相渗透提高整体式氧化铝基陶瓷铸型高温强度的方法

技术简介： 本发明公开了一种提高整体式氧化铝基陶瓷铸型高温强度的方法，属于基于光固化成型技术快速铸造领域。包括：1)用光固化快速成型技术制造树脂模具；2)通过凝胶注模法向涡轮叶片的树脂模具原型中浇…… 查看详细 >

反应烧结及微氧化处理制备多孔碳化硅陶瓷的方法

技术简介： 本发明公开了一种反应烧结及微氧化处理制备多孔碳化硅陶瓷的方法，首先将一定量的中间相碳微球和硅粉湿球磨，得到混合粉末，其次在室温下干压成型制备生坯，最后在微氧化处理下高温反应烧结得到…… 查看详细 >

一种低残硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法

技术简介： 一种低残硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法，以短碳纤维作为一种缓释碳源，添加碳化硼粉末促进素坯渗硅充分。通过添加质量分数68.2～33.2％的碳化硅粉末，6.8～41.8％的短碳纤维，15…… 查看详细 >

可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法

技术简介： 本发明公开了一种可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法，按重量百分比，包括下述组分：硅粉10～80％、氧化硅10.7～60.7％、烧结助剂5～10％、碳黑4.3～24.3％。烧结助剂选自IIa族氧化物、IIIa…… 查看详细 >

一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法

技术简介： 本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末…… 查看详细 >

一种致密碳化硅陶瓷的制备方法

技术简介： 本发明公开了一种致密碳化硅陶瓷的制备方法碳化硅陶瓷特征在于，利用纯碳化硅或反应化合生成碳化硅的物质源在2250～2500℃下所发生的分解、化合反应，采用高温物理气相传输技术，以及对气相重新…… 查看详细 >

一种碳化硅基增强复合陶瓷及制备方法

技术简介： 本发明公开了一种碳化硅基增强复合陶瓷及制备方法，其特征在于，按重量百分数，包括下述组分：碳化硅粉末30％～40％、碳化硼粉末5％～17％、纳米碳黑9％～12％、金属硅40％～50％。先将碳化硅粉…… 查看详细 >

一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法，按重量百分数，包括下述组分：碳化硼粉末45％～50％、酚醛树脂5％～8％、金属硅42％～50％；上述组分称量后，先用酒精溶解酚醛树脂，并加入碳化…… 查看详细 >

一种低温烧结超低温宽温稳定性电容器陶瓷及制备方法

技术简介： 本发明公开了一种低温烧结超低温宽温稳定性电容器陶瓷及制备方法，本发明根据化学式0.8Pb[(Fe2/3W1/3)1‑xTix]O3‑0.2BiFeO3称取Fe2WO6粉体与PbO、Bi2O3、Fe2O3和TiO2作为起始原料，将起始材料…… 查看详细 >

一种线性电致应变无铅压电陶瓷材料及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种线性电致应变无铅压电陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。该压电陶瓷材料的组成表达式为Ba0.85Ca0.15(Zr0.1Ti0.9)1‑xFexO3，其中，x＝0.015～0.025。本发明采用…… 查看详细 >