技术简介： 摘要：本发明公开一种基于耦合控制的LTCC滤波开关，包括两个半波长谐振器，两条馈电线，PIN管及PIN管的偏置电路等；PIN管及其偏置电路连接到馈电线的其中一个末端，控制器件的开与关状态；当器…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种MEMS器件的封装方法，包括S1在框架基板与封盖的内表面上对称附着图形化的过渡金属化层和钎料层；S2在框架基板的钎料层上附着图形化的自蔓延多层膜；S3将芯片键合固定在框…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种超疏水凹角T状微柱结构的制备方法，包括：(a)在基片的一个表面旋凃光刻胶，并执行显影操作得到第一圆孔阵列；(b)在基片含光刻胶表面依次沉积粘附层和种子层；(c)在种子层…… 查看详细 >
技术简介： 具有CsPbBr3@MABr核一壳结构的钙钛矿薄膜覆盖度高，表面平整，晶体界面及表面的MABr能有效钝化CsPbBr3的缺陷态，且薄膜表面的MABr起到了阻挡过量电子的注入，表现出优异的光电性能，将得到的薄…… 查看详细 >
技术简介： 技术原理气体传感器被应用于多种环境，在不断地更新换代中，半导体气体传感器由于其相对低廉的制造成本和优异的性能，被广泛关注。传统半导体气体传感器大多以硅作为基底，使得这些器件受到硅材…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种面向可延展电子的柔性基底，包括薄膜基底、岛屿和沟槽；每个岛屿均呈多边形棱柱状；所有岛屿在薄膜基底的至少一侧表面上呈蜂窝状阵列排布；岛屿与岛屿之间由沟槽分隔开；功能器件…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种加载L形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，它涉及一种半模基片集成波导带通滤波器，具体涉及一种加载L形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器。本发明为了解决普通的基片集…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种零阶谐振器和低剖面零阶谐振器全向圆极化天线，其中零阶谐振器由介质基板、金属贴片、金属地板和短路销钉组成。金属贴片和金属地板分别覆贴在介质基板的两个相对平行的表面上；短…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种基于石墨烯的波导路径选择器，包括选择器本体，该选择器整体呈一长方体，且该选择器主要由石墨烯材料制成的石墨烯层，半导体材料制成的连续涂层和间断凹槽层，以及非导电材料制成…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种高温超导滤波器，包括输入微带、输出微带和微带谐振器阵。所述微带谐振器阵包括2个以上相互平行排列的谐振器。每个谐振器均为插指结构和分形结构组合而成的谐振器，其中插指结构…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型为一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带阻滤波器，硅基底的通孔上为二维阵列，上方进入的太赫兹波穿过二维阵列得到滤波，从通孔射出。阵列单元包括倒梯形环结构和一字形结构，倒梯形环…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型为一种基于石墨烯DC接触的双功能极化转换器，基底包括金属底层、硅中层和二氧化硅表层，人工结构为在基底表层上排成阵列的单元结构，所述单元结构为相互正交、中心重合的“工”型石墨…… 查看详细 >
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