技术简介： 本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法，属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料，再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的…… 查看详细 >
技术简介：
本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸铅压电单晶及其制备方法，根据化学组成(1‑x)BiFeO3‑xPbTiO3，其中0.3
技术简介： 本发明公开了一种通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，主要涉及输送反应物并在其内部进行化学吸热反应的反应装置。该反应装置由石墨筒和反应筒组成。反应筒采用惰性材料制成。反…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种三维光子晶体制造的新工艺方法，在计算机中设计具有微波特性的三维光子晶体模型；构建此模型的负型，并依据此光子晶体模型设计浇注系统，导出浇注系统模型为STL格式，利用光固化…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用于光固化增材制造的生物陶瓷浆料该生物陶瓷浆料通过将光固化树脂、光引发剂、生物陶瓷粉末及分散剂混合制得其中，光固化树脂，为黏度在1000mPa·s以下的丙烯酸酯树脂；光引发…… 查看详细 >
技术简介： 一种生产硫酸亚铁及硫酸亚铁铵的方法，在浓盐酸催化作用下，分批加入铁泥，并加入50％的热硫酸，加入速度以能维持沸腾为宜，并通过冷凝器回收溶剂，搅拌反应30-60分钟后，进行歧化反应，当达到…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种激光直接成形悬臂结构金属零件的工艺悬臂结构金属零件特征在于，零件模型不存在悬臂结构时，按照正常工艺熔覆。成形至悬臂层时，按以下三种方法之一提供支撑：①将金属粉末填充…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种利用废弃镁碳砖制备氧化镁晶须的方法，以废弃镁碳砖为主要原料，经拣选、破碎、磨细，配料、调整配料中碳组分含量，经成型和高温合成，通过氧化镁碳热还原生成镁蒸气，镁…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了属于光催化剂材料制备技术范围的一种采用一种新的锡源合成锡酸锌催化剂及其制备方法；本发明所述的锡酸锌光催化剂是由锡酸钠和硝酸锌在水中按比例混合、在180摄氏度水热反应2…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种快速制备3C-SiC外延膜方法，其特征是将激光引入到传统CVD方法制备碳化硅外延膜即SiC薄膜，通过控制激光的输出功率，修饰基板表面形成纳米级微台阶，为薄膜形成初期提供大…… 查看详细 >
技术简介： 本专利技术涉及一种耐火及耐高温新材料耐火及耐高温新材料是从天然矿物陶瓷类物质合成，具有无毒环保，可在特定条件下实现环保降解。该新材料由特殊碳元素结构可耐火阻燃，耐高温达3000℃。可制…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种红外非线性光学材料，它为溴化汞晶体，分子式为β‑HgBr2，该晶体为正交晶系，空间群为P212121，晶体学参数为：α＝β＝γ＝90°；和Z＝4。本发明所述红外非线性光学材料…… 查看详细 >
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