技术简介： 技术领域本发明涉及供排水领域，具体涉及一种水厂加药控制方法及系统、计算机可读存储介质。背景技术现在普遍的水厂，一般采用的技术是结合国家标准（GB/T22627-2014和备注；这里两个标准前面的…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种逆导型SOILIGBT器件单元。常规的SOILIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种应用分形理论的接地屏蔽结构。现有的片上螺旋电感、变压器由于产生交变的电磁场，会在衬底引起感应电流，产生能量损耗，降低了电感值和Q值。本发明的屏蔽结构位于线圈绕成…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置。本实用新型电磁耦合装置包括反应釜、电源；反应釜包括筒状的衔铁，衔铁的上口、下口分别由顶盖、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及电子产品机械自动化加工设备技术领域，具体涉及一种封装功率三极管‑散热片自动装配机。包括机架，和安装在机架上的散热片上料模块、功率三极管上料模块、锁丝系统、退料模块、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种节能安全的卤钨灯泡，本发明包括玻璃壳、钨丝、两条钨丝支撑杆和螺口灯座；玻璃壳的尾部密封设置在螺口灯座上，钨丝通过两条钨丝支撑杆与螺口灯座连接，所述的玻璃壳包括…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种通过与太空进行辐射换热实现聚光光伏电池冷却的系统，属于太阳能聚光光伏电池散热技术领域。技术要点包括复合抛物面聚光器，复合抛物面聚光器底部具有下开口，下开口处安装有选择性吸…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法，本发明涉及大尺寸单晶薄膜的制备方法，特别是涉及一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术制备的钙钛矿薄膜的单晶尺寸…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其步骤如下：一、在高真空条件下，在待连接碳化硅半导体或金属衬底表面交替沉积反应金属层和无定形硅层，形成…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种脉冲电流低温快速烧结制备高温服役纳米晶接头的方法，其步骤如下：一、采用液相还原法制备金属纳米颗粒；二、制备金属纳米颗粒焊膏；三、脉冲电流低温烧结纳米焊膏制备高…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双层结构的高效率黄绿光有机电致发光器件，包括顺序叠接的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层和反射金属阴极，通过阳极由正向负连接反射金属阴极构成外电…… 查看详细 >
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