技术简介： 本发明公开了一种高效稳定有机聚合物太阳能电池的制备方法，在透明导电电极上依次制备TiO2纳米粒子晶体层、电子传输层、有机活性层、空穴传输层和顶层电极，得到倒置太阳能电池结构，所述倒置太…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚…… 查看详细 >
一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
技术简介： 本发明公开了一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO2/Si为衬底，采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺方法制备Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高温压电性能、高储能密度无铅陶瓷介电材料，成分以通式(1‑x‑y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeNbO3+0.005(0.5MnO2‑0.3CuO‑0.2CeO2)或(1‑x‑y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeTaO3+0.005(0.5Mn…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种柔性N型碲化银纳米线热电薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤将碲化银纳米线与聚乙烯吡咯烷酮混合，超声分散在溶剂中得到碲化银纳米线分散液；在真空抽滤的条件下，将碲化银纳…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构及其封装方法，封装结构包括硅载体、LED芯片和散热基板，其特征在于：所述的硅载体设有导电通道和导热通道，导电通道与安置于硅载体上…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种LED产品及其制造方法，该产品为可见光LED或白光LED，它包括芯片、高导热的金属基座、连接支架、透光面罩，并且在所述的透光面罩的内面附着有荧光薄膜。所述荧光薄膜是通过溅射…… 查看详细 >
技术简介： 本发明一种用于薄膜太阳能电池的光子晶体陷光结构，其特征是：主要由二维光子晶体陷光层以及一维光子晶体反射结构组成；其中：所述二维光子晶体陷光层由分别设置在薄膜太阳能电池吸收层上、下方…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件，包括衬底层、有源层以及处于衬底层和有源层之间的绝缘介质埋层。在绝缘介质埋层与有源层接触的表面的靠边区域设置了一个高浓度固定电荷区，…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种III‑V族环栅场效应晶体管，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体…… 查看详细 >
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