技术简介： 本发明公开了一种硅通孔结构及其制作方法，所述硅通孔结构，包括基底，其特征是，所述基底设有通孔，通孔贯穿基底的正面和背面，所述通孔与基底的接触面间设有绝缘层，通孔的两端设有凸起块；所…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其采用电子束光刻胶做掩膜，对样品进行不同栅长阵列曝光，显影出需要腐蚀的栅凹槽条。将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法。其工艺步骤为：①采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜，并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种埋入芯片式封装基板的制作方法，其特征是，包括如下步骤：1）提供辅助板和选取临时粘膜；2）形成临时粘膜；3）制作金属线路层；4）扣压辅助板；5）制作凹型空腔结构；6）电气互…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种高能带电粒子束从真空到大气的引出窗口，其窗口的主体由等离子体纵向引射式气动窗口组成，利用了超音速等离子体的动能压力和等离子体高温双重隔离作用，引出窗口能获得极大的真空…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供的是一种垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层1…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明的目的在于提供一种带有散热装置的配注器控制单元，包括配注器壳体、散热装置、芯片，配注器壳体里设置凹槽，散热装置安装在凹槽里，芯片固定在散热装置上，所述的散热装置包括散热…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于发光二极管器件制备技术领域，特别涉及一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法。本发明半导体量子点发光二极管依次包括层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上，沉积多晶硅薄膜，采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底，制备出多晶硅薄膜…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于硅太阳能电池技术领域，特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。制备过程为以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理方法扩散…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供一种新型压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块；所述凸台以…… 查看详细 >
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