技术简介： 本发明公开了一种国际贸易用便携式工具盒，包括盒体和盒盖，所述盒体腔室内紧邻布置有第一、二收储单元，所述第一、二收储单元的底部均设置有弹性部件且该弹性部件弹性抵靠在盒体的底面上，电脑…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及制作方法。所述光电二极管包括P型衬底，P型衬底上设有n阱，n阱上的感光窗口为正八边形同心环或多个正八边形同心环的阵列排布，同…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种长蜂窝壳型电极三维探测器，在硅基体上部由上往下单面不贯穿刻蚀得到长蜂窝型沟槽电极，在硅基体下部由下往上单面不贯穿刻蚀得到七边形沟槽电极，长蜂窝型沟槽电极与七边…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种通过阳离子交换的方式在光阳极上原位沉积Ag2S量子点的方法，具体实施步骤如下：1）配备一定浓度含有Ag+的可溶性盐溶液；2）将长有金属硫化物量子点的光阳极浸入含有Ag+的…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种智能温室大棚无土栽培肥水灌溉系统无土栽培肥水灌溉系统包括营养液回收泵、第一过滤器、杀菌消毒器、营养液回收桶、第二过滤器、进水泵、混肥桶、混肥泵、混肥阀、灌溉阀、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法。所述抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管包括半导体衬底、外延层、源区、漏区、栅极，源区与漏区之间设有第一阈值电压注入区…… 查看详细 >
技术简介： 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件，包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层和金属栅电极层，所述光吸收层的禁带宽度在厚度方向上呈中间平、两侧逐渐升高的梯形分布…… 查看详细 >
BiFeO3/CH3NH3PbI3异质结构铁电光伏薄膜及其制备方法
技术简介： 摘要：本发明公开了一种BiFeO3/CH3NH3PbI3异质结构铁电光伏薄膜及其制备方法。BiFeO3/CH3NH3PbI3复合薄膜中BiFeO3为R3c群菱方钙钛矿结构，CH3NH3PbI3为I4cm群的四方钙钛矿结构，且BiFeO3与CH3NH…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种绝缘栅半导体器件(30)，包括栅极(34)、源极端子(36)、漏极端子(38)和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容(Cfiss)和该器件截止时的输入电容(Ciiss)之间的比值小于2，并且优…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种热解试验装置热解试验包括供气单元、热解单元以及热解气冷凝单元；其中，热解单元包括加热装置和干馏管，加热装置包括控制箱、程序控温仪和炉膛内衬，程序控温仪和炉膛内衬均设置在控…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构，包括基本U型结构；基本U型结构包括由下至上或者由上至下依次设置的第一磁性层、电极层和第二磁性层；第一磁性层由第一正自旋塞贝克系数磁…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种发光半导体器件，包括N型半导体和依次设置于N型半导体一侧上的有源区、P型半导体和P电极，P型半导体具有粗糙表面，且在P型半导体的粗糙表面上采用PVD镀有光提取镀层，N电极设置…… 查看详细 >
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