技术简介： 本发明提供了一种正装四结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结以及GaInP顶电池，所述GaInP顶电池和所述GaAs…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaAs顶电池，所述AlGaAs顶电池和所述GaAs衬底上分别设有电极。本…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种三结太阳电池，其中两个子电池采用GaNAsBi材料制作，与GaAs衬底晶格匹配，本发明还涉及该三结太阳电池的制备方法，本发明的三结太阳电池及其制备方法简化了制备工艺，提高了电池…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、In…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种薄膜电池的制作方法以及薄膜电池。所述方法包括如下步骤：在导电衬底上沉积电池层；在电池层上形成纳米光栅制备需要的纳米图案；在上述纳米图案做为掩模的保护下，在电池层的表…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种设有石墨烯/金属纳米颗粒复合电极的太阳能电池，其从下至上依次包括衬底、电池层及顶电池窗口层，还包括分散在所述顶电池窗口层表面、并与所述顶电池窗口…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池，包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、…… 查看详细 >
技术简介： 技术背景：目前，电动车充电站的充电程序大致类似于传统加油站的方式，其付款方式以投币式为主，并且要求投递硬币或固定面额的纸币，因而经常需要工作人员看守在电动车充电站，以便及时帮助用户…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是提供一种热光伏电池的结构，其包括生长在InP衬底上并与所述InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yBiy电池，所述InxGa1-xAs1-yBiy电池的禁带宽度为0.21～0.73eV。…… 查看详细 >
技术简介： 本申请公开了一种太阳能电池，包括衬底、形成于衬底表面的GaInAs基电池膜层以及与GaInAs基电池膜层键合的AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层。本发明还公开了一种太阳能电…… 查看详细 >
技术简介： 项目简介：一种复合型太阳能手机充电器，涉及一种充电装置。提供一种携带方便、使用灵活的复合型太阳能手机充电器。底座通过固定架将充电器固定在手机上，第一层太阳能电池板覆盖在底座顶部，底…… 查看详细 >
技术简介： 在普通充电器基础上增加少部分装置，对充电设备和充电器双重保护。使用方便简单，连接后与普通充电器一样使用。电池充满随即自动脱断开电源，即避免过充损害电池，也减少充电器长期工作时间，继…… 查看详细 >
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