技术简介： 钛基锡锑钴氧化物涂层电极是继钌钛电极之后，应用于氯碱工业的一种非钌金属阳极。它具有不用贵金属、资源立足国内、原料易得及价格便宜等优点。它与传统的石墨电极相比，碱产量提高３０％，每吨…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种软启动电路，特别涉及一种LED驱动中的新型软启动电路。在本发明实施中：开关控制模块控制电阻分压模块，通过改变总电阻的大小使输出电压逐渐上升到需要的数值；延时控制模块控制…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种SnO2多孔结构钙钛矿光伏电池及其制备方法，属于光电子材料与器件领域。该钙钛矿光伏电池电子传输层为覆盖于透明导电衬底之上的二氧化锡致密层和覆盖于二氧化锡致密薄膜之上的二氧…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法。所述的钙钛矿薄膜光伏电池采用可低温制备的SnO2作为电子传输层，用以取代传统的需要高温烧结的TiO2电子传输层。这种基于低温制备的SnO2电子传输…… 查看详细 >
技术简介： 二氧化碳的大量排放使全球变暖,世界各地极端气候频发。资料表明,全球航运业二氧化碳排放量大概占全球温室气体排放量的,此外,船舶排放也是空气中的主要来源之一。由于船舶排放对环境的污染日趋严…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体功率器件技术领域,涉及一种横向高压器件及其制造方法。本发明的一种横向高压器件,其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、设置在第一导电类型半导体衬底上端面的第二导电类型半…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种三基色垂直结构微型LED芯片制造与转印方法,本发明经过微透镜阵列将高功率的单束激光分成多束低功率光束,利用空间光调制器对各个光束能量分布进行整形,实现高效率并行加工。同时…… 查看详细 >
技术简介： 课题来源与背景：QD116多功能LED车灯在外观方面对市场现有产品有较大突破，外观新颖时尚，在灯具功能方面严格按照技术标准执行，采用了高亮度、高流明的LED发光元件，配合了透镜式的配光设计，…… 查看详细 >
技术简介： 主要评价：DX-1通信声光信号装置，在不改变煤矿现有信号装置(电铃、组合电铃)电源、安装和接线的情况下，集信号发光显示、多方通话功能为一体。发光显示清楚、寿命长、通话声音宏亮、清晰、静态…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种采用透明低电阻率ZnO作栅和源、漏电极的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法,它涉及到微电子技术领域,主要解决现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管不能应用于全透明领域,及现…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法,它涉及微电子技术领域,主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中,下层…… 查看详细 >
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