技术简介： 该成果建立了扭振本征特性、机电耦合扭振响应及疲劳应力应变强度等模型。对元宝山３００ＭＷ、６００ＭＷ及国产２００ＭＷ各型机组的扭振固有频率进行了计算。从模态振型恰当性和固有频率避开率…… 查看详细 >
技术简介： 火灾猛于虎，据统计，中国平均每年发生火灾数十万起，造成上万人伤亡，直接经济损失达数十亿元，间接经济损失更是不可估量。国内外有多家科研机构从事大空间火焰探测及灭火问题的研究，已有产品…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种长寿命SiC发热元件的制备方法,包括下述步骤：将下述组分按质量百分比配料：SiC,75～90％;Al2O3,1～5％;ZrO?,,1～5％;SiO?,,1～3％;Si,4～10％;C,1～5％;采用挤压成型工艺制成空…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种半导体器件,该器件包括半导体衬底,所述半导体衬底上是半导体漂移区,所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区,所述第一导电类型的半导体区和所述第二…… 查看详细 >
技术简介： 1、课题来源与背景由于舞台机械设备的更新换代,公司展开对该类设备领域的探索及新产品的研发,该产品按照用户签订的技术协议合同要求执行,进行了研发设计及制造工作,设计、制造都是以按照用户技…… 查看详细 >
技术简介： 项目：“压电薄膜基声表面波煤矿瓦斯传感器的关键薄膜制备技术”由教育部博士后科学基金面上资助。声表面波瓦斯传感器具有体积小、灵敏度高和工作稳定等优点,能有效解决燃烧式瓦斯传感器的零点…… 查看详细 >
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘上层晶圆级单轴应变Si的制作方法,其实现步骤为：清洗SOI晶圆,并注入He离子;在离子注入后的SOI晶圆顶层上淀积1GPa以上的压应力SiN薄膜…… 查看详细 >
技术简介： 一种横向高压DMOS器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明通过提高第一导电类型半导体降场层3的浓度,减小第一导电类型半导体降场层3在器件宽度方向上的面积,在降场层3之间提供了额外的第二导电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及导热材料领域，具体涉及一种多层导热复合材料及其制备方法。所述多层导热复合材料包括依次层叠的绝缘导热层一、碳材料导热层和绝缘导热层二，所述碳材料导热层包括聚合物和碳材料，所…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型实施例公开了一种单片集成半导体器件，该器件包括：衬底；衬底包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；设置于第一区域上的HEMT，HEMT包括沿远离衬底方向依次层叠设置的沟道层、空间层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括：提供基底，在所述基底表面制备第一电极；在所述第一电极表面上制备发光功能层，所述发光功能层至少包括量子点发光层；在所述发光功能层上制…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型实施例公开了一种单片集成半导体阵列器件，该阵列器件包括衬底及位于衬底上阵列排布的多个集成半导体器件；集成半导体器件包括HEMT及LED；HEMT位于衬底的第一区域，HEMT包括沿远离衬…… 查看详细 >
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