技术简介： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的NMOS器件及其制备方法,该方法包括：选取Si衬底;在Si衬底表面生长栅介质层;在栅介质层表面生长电子传输层;在电子传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层;…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器，主要解决了现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底（8）、p型缓冲层…… 查看详细 >
技术简介： 本项目选择具有适宜于柔性PET衬底的TIPD与VTIPO作为柔性聚合物太阳能电池的电子和空穴传输层,探索选择具有较宽光谱吸收,较高的载流子迁移率的给/受体材料体系,提高器件对入射太阳光的利用率。优…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种有机电致发光器件OLED照明模块,包括ITO玻璃（6）、封装玻璃（7）及封装在ITO玻璃（6）与封装玻璃（7）之间的显示区域（8）构成的OLED发光器件,其特征在于：所述包括ITO玻璃（6）…… 查看详细 >
技术简介： 限进克伦特罗分子印迹整体柱是可以用于生物样品中的克伦特罗选择性提取的固相萃取柱。是一种新型的多功能分离材料,这种材料结合了分子印迹和限进材料双重特性。材料中有分子印迹聚合物层,具有对…… 查看详细 >
技术简介： 任务来源：（1）神光III主机装置主放大系统片放能源系统（气体开关部分）,中国工程物理研究院,合同编号20101614。（2）高重复频率脉冲技术的关键基础问题研究,国家自然科学基金重点项目,项目编…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种太赫兹辐射吸收层及其制备方法,该吸收层制备在太赫兹探测器探测单元的顶层,包括金属薄膜与吸附于其表面的有机分子膜。所述金属薄膜为探测单元的上电极或单独制备的金属太赫兹辐…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种采用InGaZnO陶瓷靶材（In∶Ga∶Zn原子比为1∶1∶1）,利用等离子辅助L-MBE设备,在高真空条件下（本底真空度为10-6Pa,生长时O2分压为10-3Pa,射频功率为100-400W）,在石英玻璃衬底…… 查看详细 >
技术简介： 项目介绍：汽车电子点火模块系列包括：与东风140-2中型货车配套的(普通能量)磁感应整体式电子点火模块；与解放141中型货车配套的(高能型)磁感应电子点火模块；与东风420型轻型车配套的高能霍尔…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于碳化硅三极管的β射线探测器及其制作方法,主要解决了现有β射线探测器灵敏度低,抗辐照性能差和工作电压高的问题。该β射线探测器自上而下依次包括发射极欧姆接触（1）、掺…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种自组装形成尺寸可控的硅纳米晶薄膜的制备方法,主要步骤如下：首先,镀膜前预处理后利用Ar离子对Si靶和C靶进行磁控共溅射,调整Si和C靶的溅射功率,在硅和玻璃基体上交替沉积多层结构…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于P+掺杂区、N型深阱二极管的双向ESD防护器件版图涉及集成电路静电防护器件版图设计技术领域,特别涉及由P+-NWD二极管构成的双向静电释放器件版图布图。按照本版图设计的双向静电释放器件…… 查看详细 >
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