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顾书林
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顾书林

南京大学/教授

所在地:江苏-南京 入职年份: 资料待完善 学历: 资料待完善 毕业院校: 资料待完善

从事领域电子信息

擅长能力电子技术其他学科

长期从事半导体异质结构材料与器件应用方面的研究工作,对元素半导体(锗硅)和宽带隙材料( GaN , ZnO 等)的外延生长技术与性质及器件的研制有深入的研究,取得了一系列有创新意义的研究成果。在材料生长技术方面,提出了锗硅异质结构外延中氢抑制锗分凝行为的技术,获国家发明专利,发展了生长高性能锗硅异质结构材料的技术与方法,揭示了 ZnO 缓冲层对 GaN 成核和生长作用的机理,提出并实现了 GaN 在蓝宝石直接成核的技术,发现了生长条件及反应过程控制材料结构性质的内在机理,提出并实现了抑制材料中裂纹产生的方法与技术等。

共主持、具体负责和主要参加了国家自然科学基金,国家 "863" 计划,国家 "973" 计划,等十多项研究项目。先后在国内外学术刊物和国际学术会议上发表学术论文 40 多篇(第一作者),通过省部级以上成果鉴定 5 项,获得国家专利 2 项,获国家发明三等奖一项,教委科技进步二等奖一项,江苏省科技进步三等奖一项。

主办单位:辽阳市科学技术局

技术支持单位:科易网

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