[00100284]多孔一维纳米四氧化三钴的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200910116442.1
交易方式：
技术转让
联系人：
安徽师范大学
进入空间
所在地：安徽芜湖市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了多孔一维钠米四氧化三钴的制备方法，包括以下工序：ａ）合成工序：室温下将浓度为二价钴盐与尿素溶液混合，在温度为８０－１２０℃，反应０．５－１２小时；ｂ）过滤洗涤工序：将合成的固体产品过滤，洗涤，烘干，即可得到干燥的钴氢氧化物的纳米结构；ｃ）煅烧工序：将过滤洗涤工序得到的产物置于２００－４００℃温度下加热，加热时间为１－２小时，冷却至室温。本发明与现有技术相比，具有纳米粉体颗粒均匀，分散性好，洁净程度较好；只以钴源为前驱体，不需要加入晶种；产率高，成本低，生产流程短，所制图的四氧化三钴具有非常高的比表面积、应用到锂离子电池中可大大地提高电池的性能。
本发明公开了多孔一维钠米四氧化三钴的制备方法，包括以下工序：ａ）合成工序：室温下将浓度为二价钴盐与尿素溶液混合，在温度为８０－１２０℃，反应０．５－１２小时；ｂ）过滤洗涤工序：将合成的固体产品过滤，洗涤，烘干，即可得到干燥的钴氢氧化物的纳米结构；ｃ）煅烧工序：将过滤洗涤工序得到的产物置于２００－４００℃温度下加热，加热时间为１－２小时，冷却至室温。本发明与现有技术相比，具有纳米粉体颗粒均匀，分散性好，洁净程度较好；只以钴源为前驱体，不需要加入晶种；产率高，成本低，生产流程短，所制图的四氧化三钴具有非常高的比表面积、应用到锂离子电池中可大大地提高电池的性能。
