技术详细介绍
为了使CMOS电路中的上升及下降工作速度相同,因其载流子迁移率不同,就需要使P型MOS晶体管和N型MOS晶体管的面积不同。因其面积的不均衡而妨碍了提高半导体器件的集成度。采取在(100)面及(110)面双方具备沟道区的三维结构来构成NMOS晶体管和PMOS晶体管,以使两晶体管的沟道区及栅绝缘膜的面积彼此相等。由此,在使栅绝缘膜等的面积彼此相等的同时,能够使栅电容也相等。并且与现有技术相比能够将基板上的集成度提高到2倍。
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