[00110711]半导体存储装置及其制造方法
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200580033312.1
交易方式：
技术转让
联系人：
东北大学
进入空间
所在地：辽宁沈阳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
提供利用栅绝缘膜中良好的氮浓度分布,得到优异电气特性(写入、消去特性)的半导体存储装置及其制造方法。本发明中第一实施方式的半导体装置的制造方法,是通过经由半导体基板与栅电极之间形成的绝缘膜进行电荷交接而动作的半导体存储装置的制造方法,包括将预先使用等离子体激励用气体稀释的氧氮化种导入等离 子体处理装置内,由等离子体生成氧氮化种,在所述半导体基板上形成作为栅绝缘膜的氧氮化膜的工序,所述氧氮化种含有相对于导入所述等离子体处理装置内的全 部气体量为0.00001～0.01%的NO气体。
提供利用栅绝缘膜中良好的氮浓度分布,得到优异电气特性(写入、消去特性)的半导体存储装置及其制造方法。本发明中第一实施方式的半导体装置的制造方法,是通过经由半导体基板与栅电极之间形成的绝缘膜进行电荷交接而动作的半导体存储装置的制造方法,包括将预先使用等离子体激励用气体稀释的氧氮化种导入等离 子体处理装置内,由等离子体生成氧氮化种,在所述半导体基板上形成作为栅绝缘膜的氧氮化膜的工序,所述氧氮化种含有相对于导入所述等离子体处理装置内的全 部气体量为0.00001～0.01%的NO气体。
