[01109347]基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法
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本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法,其实现步骤为：1.对GeOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;2.在离子注入后的GeOI晶圆顶层Ge层上淀积1GPa以上的压应力SiN薄膜或1GPa以上的张应力SiN薄膜,并刻蚀SiN薄膜成条形阵列;3.对带有SiN薄膜阵列的GeOI晶圆进行退火;4.腐蚀去除GeOI晶圆表面上的SiN薄膜阵列,得到晶圆级单轴应变GeOI材料。本发明利用AlN埋绝缘层在条形SiN薄膜阵列作用下的单轴拉伸或单轴压缩塑性形变在顶层Ge层引入应变,可用于制作高温、大功耗、高功率集成电路所需的GeOI晶圆。