[01119449]一种超结LDMOS器件
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技术详细介绍
一种超结LDMOS器件,属于半导体功率器件领域。本发明在传统超结LDMOS器件的P型衬底中嵌入均匀分布的N+岛,并在有源区和衬底之间加入一层P型电场屏蔽埋层。其中N+岛（2）能通过增强体内电场来提高器件的纵向耐压,同时产生额外的电荷来消除衬底辅助耗尽效应,从而提高器件的击穿电压;P型电场屏蔽埋层（3）可屏蔽源端附近N+岛（2）产生的高电场,降低源区附近电场峰值,并且与N型缓冲层形成超结,加上本身的超结漂移区,使得器件具有多重超结结构,从而有效改善体内的电场分布,提高器件的击穿电压,并同时通过提高漂移区的掺杂浓度来降低器件的比导通电阻,最终达到有效减小器件面积、降低器件成本的目的。