[01121269]一种LDMOS器件的制造方法
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技术详细介绍
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层;在第一导电类型半导体有源层上层注入离子形成介质隔离层,所述介质隔离层上表面的第一导电类型半导体有源层形成辅助半导体层;在辅助半导体层中注入第二导电类型半导体杂质;刻蚀辅助半导体层两端至介质隔离层表面形成第一有源区窗口和第二有源区窗口;在第一有源区窗口制造体区和生成源极金属,在第二有源区窗口制造漏接触区和生成漏极金属。本发明的有益效果为,可以保证延伸栅为单晶硅材料,避免多晶栅对于延伸栅器件电学性能的影响。