[01127268]基于CH3NH3PbI3材料的CMOS器件及其制备方法
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技术详细介绍
本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的CMOS器件及其制备方法,该方法包括：选取Si衬底;在Si衬底表面生长栅介质层;在栅介质层表面刻蚀隔离沟槽;在隔离沟槽两侧分别生长电子传输层和空穴传输层;在电子传输层和空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层;在Si衬底下表面溅射Al材料形成背电极;在传输层表面生长Au材料形成源漏电极,最终形成CMOS器件。由于本发明的CMOS器件采用电子传输层传输电子阻挡空穴,采用空穴传输层传输空穴阻挡电子,克服了现有技术中采用CH3NH3PbI3材料的CMOS器件中电子空穴复合,光电转换效率低的缺点。CMOS器件采用由CH3NH3PbI3材料向沟道提供大量的电子和空穴,形成N型和P型的MOS器件,具有驱动功率小,开关速度快,光电转换效率大的优点。