[01130457]一种JFET器件及其制造方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件,其特征在于,所述P+栅极区1的结深为不均匀的,从靠近N+漏极区2的一端到靠近N+源极区3的一端P+栅极区1的结深逐渐增加。本发明的有益效果为,恒流特性较好,能够满足更小恒流精度的需求。本发明尤其适用于JFET器件及其制造。本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件,其特征在于,所述P+栅极区1的结深为不均匀的,从靠近N+漏极区2的一端到靠近N+源极区3的一端P+栅极区1的结深逐渐增加。本发明的有益效果为,恒流特性较好,能够满足更小恒流精度的需求。本发明尤其适用于JFET器件及其制造。