[01132267]基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法
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技术详细介绍
在半导体异质结制备过程中,很难避免缺陷态的生成。为了提高异质结的性能,通常采用各种方法降低缺陷态的影响。但是在光致/电致发光谱中,缺陷态却具有重要的意义。如果可以通过调控制备条件,有效地控制异质结的缺陷态和缺陷态在异质结界面的分布,利用异质结的缺陷态的发光制备近红外光发射器件,将是一种较好的思路。 本发明就是针对上面提到的思路,首先利用磁控溅射技术在多孔多晶硅模板上预沉积CdS薄膜,再利用化学水浴法沉积一层CdS薄膜,制备CdS/Si异质结原型二极管;进行适当的退火处理,对异质结界面的缺陷态进行调控,正向偏压下利用缺陷态的发光获得近红外光发射。