[01133750]绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法,该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘栅极、钝化层、源场板、漏场板和保护层,所述的源场板与源极电气连接,所述的漏场板与漏极电气连接,其中：源极上部和漏极上部,以及源极和漏极之间的势垒层上部淀积有绝缘介质层;源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板。每个浮空场板大小相同、相互独立,处于浮空状态,且按照等间距的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和击穿电压高的优点,可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。