[01147157]一种钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法
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面议
所属行业:
建筑材料
类型:
非专利
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资料待完善
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技术详细介绍
本发明公开了一种钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料以结构通式A4B3O12为基础,选取相对低价态的阳离子(Li+、Zn2+、Ca2+、Cu2+、Mg2+、Al3+、In3+、Cr3+、Ga3+)复合占据A位,高价态的阳离子Mo6+占据B位,通过传统固相反应烧结的方法,得到了一系列可以在700oC以下烧结且具有良好微波介电性能(介电常数8.5~11.1,品质因数Qf介于36,000GHz到108,000GHz)的陶瓷材料。其具体结构表达式为:Li2M2+2(MoO4)3(M2+=Zn2+、Ca2+、Cu2+、Mg2+)和Li3M3+(MoO4)3(M3+=Al3+、In3+、Cr3+、Ga3+)。
本发明公开了一种钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料以结构通式A4B3O12为基础,选取相对低价态的阳离子(Li+、Zn2+、Ca2+、Cu2+、Mg2+、Al3+、In3+、Cr3+、Ga3+)复合占据A位,高价态的阳离子Mo6+占据B位,通过传统固相反应烧结的方法,得到了一系列可以在700oC以下烧结且具有良好微波介电性能(介电常数8.5~11.1,品质因数Qf介于36,000GHz到108,000GHz)的陶瓷材料。其具体结构表达式为:Li2M2+2(MoO4)3(M2+=Zn2+、Ca2+、Cu2+、Mg2+)和Li3M3+(MoO4)3(M3+=Al3+、In3+、Cr3+、Ga3+)。