技术详细介绍
本项成果是一项应用于新型显示技术中TFT工艺制作过程中发明专利技术,是一种新的技术开发应用,可解决及优化TFT工艺中关键工艺步骤,提升产品良率及工作节拍。 此项成果发明公开一种TFT有源矩阵的新型制造方法。采用结合半导体硅加工工艺与微机械加工工艺的方法实现TFT有源矩阵的制作,使TFT有源矩阵的制造工艺与半导体制造工艺相兼容。区别于传统的TFT有源矩阵必须制作在TFT玻璃之上的方法,发明中所制作的TFT有源矩阵首先制作在单晶硅晶圆上,制作完成且经过剥离工艺后,将TFT有源矩阵转移装配到玻璃基板上,具体的工艺如下: 1) 首先采用半导体工艺在单晶硅晶圆上制作TFT有源矩阵层, 2) 制作完成之后涂布抗蚀层, 3) 再采用微机械加工工艺的方法将TFT有源矩阵层与单晶硅晶圆剥离开; 4) TFT有源矩阵层经划片之后形成单颗TFT器件, 5) 将单颗TFT器件转移装配到玻璃基板之上,形成TFT有源矩阵。此项成果发明的制造方法选用的玻璃基板为普通玻璃基板,而非昂贵的TFT玻璃基板,并且TFT有源矩阵剥离之后的单晶硅晶圆可循环利用,大幅降低了TFT有源矩阵的制造成本。同时半导体工艺技术十分成熟,制作出的TFT器件性能非常稳定,不易出现性能衰退,生产成品率大幅提高。利用本项成果可实现目前传统工艺中存在生产成本较高因素引起的制造成本问题,为企业生产制造提供一条新型的生产制造路线。
本项成果是一项应用于新型显示技术中TFT工艺制作过程中发明专利技术,是一种新的技术开发应用,可解决及优化TFT工艺中关键工艺步骤,提升产品良率及工作节拍。 此项成果发明公开一种TFT有源矩阵的新型制造方法。采用结合半导体硅加工工艺与微机械加工工艺的方法实现TFT有源矩阵的制作,使TFT有源矩阵的制造工艺与半导体制造工艺相兼容。区别于传统的TFT有源矩阵必须制作在TFT玻璃之上的方法,发明中所制作的TFT有源矩阵首先制作在单晶硅晶圆上,制作完成且经过剥离工艺后,将TFT有源矩阵转移装配到玻璃基板上,具体的工艺如下: 1) 首先采用半导体工艺在单晶硅晶圆上制作TFT有源矩阵层, 2) 制作完成之后涂布抗蚀层, 3) 再采用微机械加工工艺的方法将TFT有源矩阵层与单晶硅晶圆剥离开; 4) TFT有源矩阵层经划片之后形成单颗TFT器件, 5) 将单颗TFT器件转移装配到玻璃基板之上,形成TFT有源矩阵。此项成果发明的制造方法选用的玻璃基板为普通玻璃基板,而非昂贵的TFT玻璃基板,并且TFT有源矩阵剥离之后的单晶硅晶圆可循环利用,大幅降低了TFT有源矩阵的制造成本。同时半导体工艺技术十分成熟,制作出的TFT器件性能非常稳定,不易出现性能衰退,生产成品率大幅提高。利用本项成果可实现目前传统工艺中存在生产成本较高因素引起的制造成本问题,为企业生产制造提供一条新型的生产制造路线。