[01174228]高电子迁移率晶体管
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技术详细介绍
本发明公开了一种高电子迁移率晶体管,主要解决现有技术的电流崩塌严重和源漏极欧姆接触电阻大的问题。该器件自下而上包括：衬底（1）、成核层（2）、主沟道层（3）、势垒层（4）、介质层（13）;势垒层（4）顶端两侧分别为源极（10）和漏极（12）,中间为栅极（11）,势垒层（4）上依次增加有辅沟道层（5）、缓变势垒层（6）、高势垒层（7）、隔离沟道层（8）和隔离势垒层（9）;栅极（11）位于势垒层与隔离势垒层之间的凹槽（14）中,栅极的两侧及底部设有介质层（13）。隔离势垒层与隔离沟道层界面上,缓变势垒层与辅沟道层界面上,势垒层和主沟道层界面上分别形成有二维电子气2DEG。本发明可避免高场应力下的电流崩塌,降低源漏极欧姆接触电阻,可用作高温高频高可靠大功率器件。