[01187043]一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件及制备方法
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本发明公开了一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件,整个器件分为A-GCT和PIN二极管两部分,A-GCT部分结构是,n-区向上依次设置有波状p基区和p+基区,该p+基区中间段上表面,与波状p基区的波峰对应位置设置有n+阴极区,该n+阴极区上表面是阴极铝电极,该n+阴极区两侧的p+基区上表面各设置有门极铝电极,n-区向下设置有n缓冲层及p+透明阳极区;PIN二极管部分结构是,n-区向上依次设置有p基区和p+基区,p+基区上表面设置有阴极铝电极;n-区向下设置有n缓冲层,n缓冲层的下方并排设置有PIN二极管n+阴极区Ⅰ、p+短路区和PIN二极管n+阴极区Ⅱ。本发明还公开了上述pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件的制备方法,可有效改善PIN二极管的反向恢复特性,从而省去了对其少子寿命的控制。