[01198226]提高半结晶聚合物绝缘介质真空沿面闪络电压的方法
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本发明公开了一种提高半结晶聚合物绝缘介质真空沿面闪络电压的方法,先将半结晶聚合物介质制成类圆台形试样;再对加工好类圆台形试样放入烘箱中加热,使其达到接近熔融状态的温度,至少保温10分钟;然后对加热好的试样进行热处理,包括～56℃～25℃淬火或0.5～1.0℃/min慢速降温。本发明通过对半结晶聚合物绝缘介质进行热处理,改变了半结晶聚合物绝缘介质的聚集态结构（结晶度和晶粒尺寸）,显著提高了其真空沿面闪络电压,可以广泛应用于电气、航天、武器等多个领域。