[01201606]宽温窄阻带厚膜空/燃比传感器的制备方法
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宽温窄阻带厚膜空/燃比传感器的制备方法,根据N型过渡金属氧化物半导体在氧化气氛下晶界势垒高度的提高,还原气氛下晶界势垒高度的降低,采用金红石型TiO＜SUB＞2＜/SUB＞结构对体内进行N型掺杂,晶界进行P型复合扩散。使样品在氧化气氛下,电导急剧降低,还原气氛下,急剧增加。采用厚膜工艺使样品在250℃～800℃范围内,使高温端氧化态下最低阻值和低温端还原态下的最高阻值出现1～3个数量级的差别。采用本制备方法使传感器性能大幅提高、成本低廉。