[01207955]氮化物纳米高电子迁移率晶体管芯片研制
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技术详细介绍
本项目由华南师范大学光电子材料与技术研究所独立组织实施。在Si衬底表面图形设计与制备,GaN纳米线、GaN/AlGaN纳米线、GaN/AlN/AlGaN纳米线生长,源漏极欧姆接触电极设计与制备,栅极肖特基电极设计与制备等方面开展研究,制备出了较高性能的GaN基单根高电子迁移率晶体管和纳米线阵列集成高电子迁移率晶体管芯片,项目发表SCI论文9篇,申请发明专利4项,授权发明专利3项,获得了氮化物纳米高电子迁移率晶体管芯片制备新工艺。