[01230207]微弱信号光电转换技术-研究生长GaAsGaAIAs薄膜技术
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技术详细介绍
应用MOCVD技术研究生长GaAsGaAIAs薄膜，为中国批量生产三代徽光材料片做前期的技术准备。国内外技术水平及发展趋势：国外以GaAs/GaAiAs为光电阴极的三代微光管已经成为定型产品，能够大批量生产，在军事上得到了广泛应用。国内的三代微光材料片仍处于小规模研究阶段，正在努力攻关。项目的成熟程度：实验室研究阶段。主要技术指标：a.GaAsGaAlAs薄膜的多层结构；b.铝组分值0.2-0.3；c.掺Zn浓度1-3×10^(18)cm^(-3)应用范围：为光阴极提供材料片。鉴定时间：19980200