[01233088]垂直型肖特基二极管及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种垂直型肖特基二极管的器件结构及其制作方法,主要解决现有肖特基二极管器件反向击穿电压低的问题。其自下而上,包括阴极电极、高掺杂n型Ga2O3衬底、低掺杂n型Ga2O3外延层、低功函数阳极电极,该外延层上淀积有低功函数阳极电极,高掺杂衬底的下表面淀积有阴极电极,低功函数阳极与n型Ga2O3外延层形成肖特基接触,阴极与衬底形成欧姆接触。低掺杂n型Ga2O3外延层上间隔分布有M个凹槽,M≥6,凹槽中沉积有高功函数阳极电极和厚度在0.5～1μm范围内的有机铁电介质,且高功函数阳极电极位于有机铁电介质之上。本发明不仅提高了反向击穿电压,而且保持其正向特性不变,可用于高速集成电路和微波技术。