[01235479]偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管及其制作方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
本发明公开了一种偏移场板结构的4H-SiC？PiN/肖特基二极管。它包括N+？4H-SiC衬底和同型N-外延层;衬底背面设有N型欧姆接触;N-外延层上设有多个同心环形P+区域,这些同心环形P+区域分为外部同心圆环和内部同心圆环;各内部同心圆环及环间隔区域的上方设有P型欧姆接触和肖特基接触;各外部同心圆环及其间隔区域的上方设有P型欧姆接触和SiO2钝化层;在该SiO2钝化层上方设有场板。其制作过程是：在4H-SiC衬底正面生长N-外延层;在N-型外延层制作同心环形P+区域、SiO2钝化层、肖特基接触、P型欧姆接触和场板;在4H-SiC衬底背面制作N型欧姆接触。本发明可用于大功率整流器及PFC电路。