[01257691]基于蓝宝石衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法，它涉及到微电子技术领域。
该器件自下而上依次包括低温AlN成核层（2）、高温AlN成核层（3）、本征AlGaN外延层（4）、n-AlGaN势垒层（5）、有源区（6）、p-AlGaN势垒层（7）、低Al组分p型AlGaN层（8）、p型GaN冒层（9），以及在p型GaN冒层设有的窗口区（10）。
该器件通过干法刻蚀p-GaN冒层至电子势垒层p-AlGaN，形成了圆柱状的出射光窗口，二次湿法刻蚀将柱状出射光窗口变为圆锥状窗口，增大了窗口的出射孔径，同时使得出射光的传播距离减少。
本发明的制作方法由于采用刻蚀的方法使的电子势垒层p-AlGaN的表面粗化，进一步提高了出射光的出射效率，且工艺简单，成本低，重复性好，可靠性高，本发明可用于水处理，医疗、生物医学场合以及白光照明中。