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[01303095]CIS基薄膜太阳电池光吸收层的制备与机理研究

交易价格: 面议

所属行业: 电池充电器

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

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技术详细介绍

1、项目以维生素C为还原剂、二甲基甲酰胺为媒介,在常压下合成了黄铜矿相铜铟硒(CIS)、铜铟镓硒(CIGS)、铜铟铝硒(CIAS)光吸收层薄膜材料。

2、以葡萄糖为辅助剂合成CuInSe2亚二元化合物,在常压和120℃的温度下制备了面积为5×5cm2,均匀性为4.2%,载流子浓度为2.63×1017cm-3的薄膜;以Cu+-氨基络合物为铜源溶液制备了单一取向的高致密性CuInSe2薄膜,载流子浓度达到5.26×1016cm-3,迁移率达到150.41cm2V-1S-1。制备出CIGS薄膜太阳电池的光电转换效率8.64%,开路电压442.20mV,短路电流密度32.02mA/cm2,填充因子61.00%。

3、发表论文6篇,其中SCI论文5篇;申请发明专利3件;培养硕士研究生2名。

1、项目以维生素C为还原剂、二甲基甲酰胺为媒介,在常压下合成了黄铜矿相铜铟硒(CIS)、铜铟镓硒(CIGS)、铜铟铝硒(CIAS)光吸收层薄膜材料。

2、以葡萄糖为辅助剂合成CuInSe2亚二元化合物,在常压和120℃的温度下制备了面积为5×5cm2,均匀性为4.2%,载流子浓度为2.63×1017cm-3的薄膜;以Cu+-氨基络合物为铜源溶液制备了单一取向的高致密性CuInSe2薄膜,载流子浓度达到5.26×1016cm-3,迁移率达到150.41cm2V-1S-1。制备出CIGS薄膜太阳电池的光电转换效率8.64%,开路电压442.20mV,短路电流密度32.02mA/cm2,填充因子61.00%。

3、发表论文6篇,其中SCI论文5篇;申请发明专利3件;培养硕士研究生2名。

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