[01313110]910nm高功率半导体激光器主动式光源的研究

主要内容：

1、高功率InGaAs/AlGaAs/GaAs分别限制单量子阱激光器结构设计。

2、高质量InGaAs/AlGaAs/GaAs分别限制单量子阱激光器材料的MBE外延生长。

3、利用分析测试手段如，SEM，PL，X-ray 等分析测试技术对MBE生长的材料进行测试分析，研究InGaAs/AlGaAs/GaAs分别限制单量子阱激光器材料的光电特性。

4、InGaAs/AlGaAs/GaAs分别限制单量子阱结构的器件制作工艺。包括光刻、镀膜、合金等工艺。

5、对通过后工艺制得的InGaAs/AlGaAs/GaAs分别限制单量子阱激光器器件作综合测试，得到功率1W，波长910nm的器件。

6、应用此器件展开主动式光源的研究。

技术经济指标:研制新型大功率910nm，InGaAs/AlGaAs/GaAs分别限制单量子阱激光器，激光输出功率1W（CW），波长910nm±5nm。

高功率InGaAs/AlGaAs/GaAs分别限制单量子阱激光器近十年来在国际上受到高度重视，具有广阔应用前景一种新型半导体激光器。

与AlGaAs材料激光器相比，InGaAs材料激光器的一个重要特征是具有相当高的光学灾变损伤阈值(COD)，比AlGaAs材料激光器的COD高一个数量级，这主要是因为InGaAs降低了表面复合速率，防止了端面的光学损伤。

这使激光器的性能方面得到了改善和提高，如阈值电流密度变得更低、增益系数更高、温度敏感性更小，更适合于制备高功率和长寿命的半导体激光器。

而且由于其发射波长范围在0.9-1.1mm，填补了匹配的GaAs/AlGaAs和InGaAsP/InP材料的发射波长盲区，在军事应用上，910nm波长激光器较传统的860nm激光器在夜视应用上具有消除红曝的优势，因此，910nm半导体激光器的研制对于进一步提高我军的夜间作战能力具有十分重要的意义。

同时还在通讯、医疗等方面具有广泛而重要的应用前景。