[01323684]基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。
其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000-23000的高Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹和Ⅴ/Ⅲ比为800-1200的低Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹交错组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物薄膜，由N面Ⅲ族氮化物条纹和金属面Ⅲ族氮化物条纹交错组成。
该Ⅲ族氮化物采用GaN或InGaN，分别发紫外光和绿光。
本发明利用c面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。