[00133729]具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
可规模生产
专利所属地：中国
专利号：201010565287.4
交易方式：
技术转让
联系人：
上海纳米技术及应用国家工程有限公司
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所在地：上海上海市
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技术详细介绍
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为：将基底材料放入反应室加热至100?C～500?C；将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托～10托压力下通入反应室，时间为0.2秒～5秒；将氮气或惰性气体通入反应室，以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体；在0.1托～10托压力下，将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室，时间为0.2秒～5秒，在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积，并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm～100nm；以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源，取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体，重复上述，在氧化铝层上覆盖二氧化硅层；二氧化硅层的厚度为2nm～100nm；最终得到一个厚度为5～120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度，薄膜厚度可以在1～100nm直接精确可控，并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为：将基底材料放入反应室加热至100?C～500?C；将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托～10托压力下通入反应室，时间为0.2秒～5秒；将氮气或惰性气体通入反应室，以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体；在0.1托～10托压力下，将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室，时间为0.2秒～5秒，在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积，并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm～100nm；以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源，取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体，重复上述，在氧化铝层上覆盖二氧化硅层；二氧化硅层的厚度为2nm～100nm；最终得到一个厚度为5～120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度，薄膜厚度可以在1～100nm直接精确可控，并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
