[01335564]一种添加有稀土的多相强化型电子封装材料及其制备方法
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技术详细介绍
本发明属于铜合金材料技术领域，具体的说是一种添加稀土的多相强化电子封装铜合金及其制备方法。
为了解决现有技术中的Cu-Ni-Si合金导电率普遍不高的技术问题，本发明采用独特的制备工艺，通过在Cu-Ni-Si合金中添加合金元素Fe、P、Mg以及微量稀土元素Ce和Y，对铜合金整体进行了多相强化合金处理。
制备出了一种抗拉强度较高，导电率可达63 IACS%以上，且各项综合性能优异的Cu-Ni-Si合金电子封装材料，以满足电子封装用铜合金的性能要求。