[00134398]大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200810025449.8
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，其构造步骤为：1)制备GaN基LED芯片：对GaN基LED外延片进行干法刻蚀，形成L型，露出N-GaN层台面；在P-GaN层表面蒸发一层铟锡氧化物电流扩展层，再蒸发P、N电极，再在P、N电极上镀上纯金；2)制备Cu快速热扩散板：先制作L型的Cu板，磁控溅射一层Ti或Cr，作为粘附层；在Ti层上磁控溅射一层AlN，作为绝缘层；再蒸发一层薄金，镀上一层厚纯金；3)采用热压焊进行纯金键合，将LED芯片倒装在Cu快速热扩散板上。本发明采用高热导、热膨胀系数梯度变化的Au-Au-AlN-Ti多层材料构建LED至Cu快速热扩散板之间的散热通道，解决了大功率LED的散热问题，提高了器件的散热能力和稳定性。
本发明提供大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，其构造步骤为：1)制备GaN基LED芯片：对GaN基LED外延片进行干法刻蚀，形成L型，露出N-GaN层台面；在P-GaN层表面蒸发一层铟锡氧化物电流扩展层，再蒸发P、N电极，再在P、N电极上镀上纯金；2)制备Cu快速热扩散板：先制作L型的Cu板，磁控溅射一层Ti或Cr，作为粘附层；在Ti层上磁控溅射一层AlN，作为绝缘层；再蒸发一层薄金，镀上一层厚纯金；3)采用热压焊进行纯金键合，将LED芯片倒装在Cu快速热扩散板上。本发明采用高热导、热膨胀系数梯度变化的Au-Au-AlN-Ti多层材料构建LED至Cu快速热扩散板之间的散热通道，解决了大功率LED的散热问题，提高了器件的散热能力和稳定性。
