[00134461]半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201110416227.0
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法，属于半导体测试领域，该半导体材料测量装置包括一反应腔室、一样品平台、一聚焦离子束显微镜系统与一电子束诱导感生电流测量装置；并且在该方法中，对多层异质结构的半导体样品，可以利用该半导体材料测量装置的聚焦离子显微镜系统剥离部分表面，接着在原位沉积电极，然后用电子束诱导感生电流测量装置进行测量；本发明解决了现有技术中测量多层异质界面缺陷时采用单层测量的问题，本发明做到逐层解剖，逐层测量，极大的提高了工作效率。
本发明提供半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法，属于半导体测试领域，该半导体材料测量装置包括一反应腔室、一样品平台、一聚焦离子束显微镜系统与一电子束诱导感生电流测量装置；并且在该方法中，对多层异质结构的半导体样品，可以利用该半导体材料测量装置的聚焦离子显微镜系统剥离部分表面，接着在原位沉积电极，然后用电子束诱导感生电流测量装置进行测量；本发明解决了现有技术中测量多层异质界面缺陷时采用单层测量的问题，本发明做到逐层解剖，逐层测量，极大的提高了工作效率。
