[00134517]一种金属酞菁纳米线的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201110072548.3
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明揭示了一种生长单分散、平贴衬底的金属酞菁纳米线的制备方法，其特征在于包括步骤：I、以金属酞菁和三氧化二铝按质量比1∶100研磨混合作为原料，将所述原料取料与衬底一并置入容器中以备加热生长；II、在容器中充填惰性保护气体氮气或氩气并保持腔内压强6×10-2Pa，对所述容器实施加热，使得原料在450℃-500℃下恒温生长20min-60min后随容器冷却至常温，在硅衬底上生长形成单分散的平贴衬底的金属酞菁纳米线。应用本发明方法制备单分散平贴衬底的金属酞菁纳米线，工艺简单易行、成本低，酞菁纳米线与硅衬底接触良好，为进一步研究单晶金属酞菁纳米线的场效应特性提供可能。
本发明揭示了一种生长单分散、平贴衬底的金属酞菁纳米线的制备方法，其特征在于包括步骤：I、以金属酞菁和三氧化二铝按质量比1∶100研磨混合作为原料，将所述原料取料与衬底一并置入容器中以备加热生长；II、在容器中充填惰性保护气体氮气或氩气并保持腔内压强6×10-2Pa，对所述容器实施加热，使得原料在450℃-500℃下恒温生长20min-60min后随容器冷却至常温，在硅衬底上生长形成单分散的平贴衬底的金属酞菁纳米线。应用本发明方法制备单分散平贴衬底的金属酞菁纳米线，工艺简单易行、成本低，酞菁纳米线与硅衬底接触良好，为进一步研究单晶金属酞菁纳米线的场效应特性提供可能。
