[00134520]一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201110054010.X
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。
