[01340928]基于纳米线结构的高效发光二极管的制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法,主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层（1）、高温AlN成核层（2）、n型GaN层（3）、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱（4）、p型GaN层（5）和电极（6）,其中多量子阱包括五个周期,Al含量x和y由镓源和铝源的流量控制,以获得不同波长的LED,之后利用金属在高温下的蠕变现象形成金属球作为阻挡层,在量子阱上以均匀间隔刻蚀纳米槽,使p型GaN层镶嵌生长在纳米槽内,以提高p型GaN和量子阱的接触面积,有利于空穴的注入,本发明提高了发光效率,可用于紫外及深紫外发光二极管的制作。