[01344298]基于c面Al2O3衬底的N面Ⅲ族氮化物的发光二极管
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的N面Ⅲ族氮化物的发光二极管,主要解决现有LED器件生长步骤繁多,工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面Al2O3衬底层、10-40nm厚的高温AlN成核层、700-2000nm厚的发光层和电极,其中发光层为一层N面Ⅲ族氮化物层,该Ⅲ族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN材料,分别获得发紫外光、极紫外光和深紫外光不同颜色的发光二极管。本发明利用N面Ⅲ族氮化物薄膜内的反型畴代替传统LED的量子阱结构发光,简化了器件结构和制作流程,缩短了工艺周期,可用于照明,显示屏和背光源。