[01351464]一种结型场效应晶体管的制造方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
一种结型场效应晶体管的制作方法,属于半导体器件领域。传统结型场效应晶体管的制作工艺中,栅源隔离氧化层由于作为扩散工艺的掩蔽层,制作过程中会在隔离氧化层里面引入许多杂质以及缺陷,会降低结型场效应晶体管的抗总剂量辐照效应能力。本发明提供的结型场效应晶体管的制造方法,在接触孔刻蚀之前,采用氢氟酸完全刻蚀掉原有的氧化层,然后重新生长氧化层,这样可以保证重新生成的更加致密、缺陷更少的高质量氧化层,从而提高所制造的结型场效应晶体管的抗总剂量辐照效应能力。此外,本发明无需增加掩膜版,而且只需要在刻蚀接触孔前用氢氟酸刻蚀正面全部氧化层、生长高质量新氧化层,简单易行,尽量降低了新增工艺步骤带来的附加成本。