[01356611]基于CH3NH3PbI3材料的NMOS器件及其制备方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的NMOS器件及其制备方法,该方法包括：选取Si衬底;在Si衬底表面生长栅介质层;在栅介质层表面生长电子传输层;在电子传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层;在电子传输层表面生长Au材料形成源漏电极,最终形成NMOS器件。由于本发明的晶体管采用电子传输层传输电子阻挡空穴,克服了现有技术中采用CH3NH3PbI3的MOSFET光电场效应晶体管中电子空穴复合,光电转换效率低的缺点,即晶体管采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子,形成n型MOSFET光电场效应晶体管,具有驱动功率小,开关速度快,光电转换效率大的优点。