[01357679]Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法,该激光器从下往上依次包括硅衬底、Si0.5Ge0.5缓冲层、硅锗超晶格和SiO2,在硅锗超晶格顶部和Si0.5Ge0.5缓冲层上沉积铝电极,Si0.5Ge0.5缓冲层的厚度为300nm,所述Si0.5Ge0.5缓冲层为5nm的硅和5nm的锗交互生长形成硅锗超晶格结构,所述的Si0.5Ge0.5缓冲层的硅锗比例为1∶1。本发明既能够兼容CMOS工艺,又能够实现锗光源对不同波长光的需求,且具有较高的光电转换效率,光稳定性,加工简单、方便,为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。