[01383881]一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件
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技术详细介绍
本发明属于半导体技术领域,具体涉及到一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件。本发明主的技术方案,与传统与固定电位连接的金属场板（如栅场板、漏场板以及源场板）相比,一方面,自偏置场板能削弱常规金属场板末端的电场尖峰,进一步优化器件表面电场的分布;更重要的是,自偏置场板的偏置电位可根据需要设定;因而,其提高器件耐压的效果更明显。另一方面,自偏置场板能增强对漂移区的辅助耗尽作用,高漂移区掺杂浓度以降低器件比导通电阻。该自偏置场板能应用于多种功率器件中。本发明尤其适用于高压MOS器件。