[01398923]一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料

课题来源与背景：电子封装材料起着固定密封、使电子设备免受外界环境的干扰、保护电子设备、提高电子设备的寿命和增强电子设备环境适应的能力。随着电子设备的小型化、多功能化及高性能化,对电子封装材料的要求越来越高。高分子材料和无机非金属材料在电子封装材料方面具有良好的应用。国家发明专利“一种复合杂化有机硅LED封装材料及其制备方法和应用”（国家发明专利申请号：201210484569.0）公布了通过将二氧化硅苯基有机硅复合杂化物、乙烯基聚硅氧烷、四甲基二乙烯基二硅烷配位的铂络合物、双环戊二烯二氯化铂、邻苯二甲酸二乙酯配位的铂络合物、含氢聚硅氧烷等材料作为原料,在80-110 ℃的真空条件下反应1-8 h得到了复合杂化的有机硅封装材料。国家发明专利“一种LED有机硅封装用改性纳米二氧化硅及其制备方法”（国家发明专利号：ZL201310321330.6）公开了一种以改性纳米二氧化硅、含氢硅油、含苯基硅氧烷单体、氯铂酸、甲基乙烯基硅氧烷配位的铂络化合物、邻苯二甲酸二乙酯配位的铂络化合物等作为原料,在60-150 ℃的真空条件下反应0.3-2 h得到了含有改性纳米二氧化硅的有机硅封装材料。国家发明专利“电子元器件封装材料用陶瓷粉及其生产方法”（国家发明专利号：ZL201210396718.8）以含有氧化钡、氧化硼、氧化硅、氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛的复合氧化物作为主要原料,在800-1000 ℃烧结获得了陶瓷电子封装材料。高分子材料基电子封装材料具有易加工、绝缘性好、制备温度低的特点,但是存在热膨胀系数大、耐老化性能差和强度低等缺点;无机非金属材料基电子封装材料虽然具有强度高、热膨胀系数小、耐老化性能好等特点,但是存在难于加工、制备温度高等缺点。因此,单一材料难以满足电子封装材料的要求,例如电子封装材料要求具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特性。 技术原理及性能指标： 技术原理： 本成果按照质量比例称取锡酸锶纳米棒、聚乙二醇、乙撑双硬脂酰胺、三聚丙二醇二缩水甘油醚和乳化甲基硅油,然后通过机械搅拌将其混合均匀,再置于磨具中冲压成型,在100-150 ℃、保温24-48 h,自然冷却后得到了锡酸锶纳米棒复合电子封装材料。这种电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点。 锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的性能指标：（1）热膨胀系数（×10-6 K-1/室温）：6.4-6.7;（2）热导率（W·m-1·K-1/室温）：149-154。 技术的创造性与先进性：本成果在于提供锡酸锶纳米棒作为主要原料,引入聚乙二醇、乙撑双硬脂酰胺、三聚丙二醇二缩水甘油醚和乳化甲基硅油等成分,得到具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工及制备温度低的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料。本成果获得了国家发明专利1项。 技术的成熟程度,适用范围和安全性：本成果成熟度高,采用的锡酸锶纳米棒、聚乙二醇、乙撑双硬脂酰胺、三聚丙二醇二缩水甘油醚和乳化甲基硅油是批量生产的原料,可以实现锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的制备。锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的制备温度为100-150 ℃,低于无机非金属材料基电子封装材料的制备温度,降低了能耗,减少了制备成本。本成果提供的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。 应用情况及存在的问题：项目成果产品的性能已达到实际应用要求,市场前景广阔。但是由于缺乏生产资金支持,所以本成果还未有实际应用。 成果简介：本成果公开了一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料,锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锶纳米棒65-80%、聚乙二醇10-15%、乙撑双硬脂酰胺0.05-0.5%、三聚丙二醇二缩水甘油醚5-10%、乳化甲基硅油4-10%,锡酸锶纳米棒的直径为80 nm、长度为1-2 μm。本成果提供的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工及制备温度低等特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。