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[00141201]一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器

交易价格: 面议

所属行业: 其他电子信息

类型: 实用新型专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200620163365.7

交易方式: 技术转让

联系人: 华中科技大学

进入空间

所在地:湖北武汉市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  本实用新型公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器,包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2,检测输出电路包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3,N4,N5;其中PMOS管P1和NMOS管N1、NMOS管N4和PMOS管P2、NMOS管N5和PMOS管P3分别为反相器结构。本实用新型利用了MOS管的双向导通性,从浮栅管的源极、而不是选择管的漏极进行充电。由于浮栅管的源极都连接在一起,大大减少了充电电路的数目;利用电压检测的方式进行信息的区分,通过修改反相器的反相阈值,降低充电电压,从而提高读出的速度。一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器特别适合无源RFID标签芯片的嵌入式EEPROM应用,在保证数字逻辑工作电压的情况下,降低整个芯片的复位阈值,较好的抗阈值退化能力提高整个标签芯片的使用寿命。

  本实用新型公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器,包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2,检测输出电路包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3,N4,N5;其中PMOS管P1和NMOS管N1、NMOS管N4和PMOS管P2、NMOS管N5和PMOS管P3分别为反相器结构。本实用新型利用了MOS管的双向导通性,从浮栅管的源极、而不是选择管的漏极进行充电。由于浮栅管的源极都连接在一起,大大减少了充电电路的数目;利用电压检测的方式进行信息的区分,通过修改反相器的反相阈值,降低充电电压,从而提高读出的速度。一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器特别适合无源RFID标签芯片的嵌入式EEPROM应用,在保证数字逻辑工作电压的情况下,降低整个芯片的复位阈值,较好的抗阈值退化能力提高整个标签芯片的使用寿命。

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